Physique pour les Technologies Quantiques 2
Propriétés électroniques des Matériaux
Programme :
Première Partie
I – Théorie de Drude appliquée aux métaux
Effet Hall, Magnétorésistance, conduction dans un conducteur non homogène ou à température non uniforme, chaleur spécifique, limite du modèle.
II – Modèle de Sommerfeld
Électrons libres à température nulle, densité d’états, statistique de Fermi-Dirac, théorie à température non-nulle, analyse de quelques propriétés physiques (chaleur spécifique, susceptibilité de Pauli, conductivité électrique, …).
III – Rappels autour des réseaux cristallins dans l’espace réel et réciproque
Réseaux de Bravais, réseaux réciproques, première zone de Brillouin.
IV – Électrons dans un potentiel périodique
Modèle des électrons presque libres (théorie des perturbations), théorème de Bloch et théorie des bandes, relations de dispersions bidimensionnelles, remplissage des bandes (isolant, conducteur, semi-conducteur).
V – Les supraconducteurs
Introduction et phénoménologie, chaleur spécifique, équation de London, éléments de la théorie BCS (température critique, gap d’énergie, champ critique), effet Josephson (exemple du magnétomètre SQUID).
Seconde Partie
I – Semi-conducteur dans l’approche semi-classique
Trou et masse effective, semi-conducteurs intrinsèques, extrinsèques (types N et P), phénomènes de transport, conduction électrique, diffusion électrique, processus de génération-recombinaison
II – Jonctions et diodes
Jonction PN, jonction PN à l’équilibre, jonction PN polarisée, avalanche de la jonction et effet Zener, fabrication de la diode à jonction, quelques diodes spéciales, application des diodes à jonction.
III – Transistor bipolaire
Présentation, principe de fonctionnement, polarisation et schéma électrique équivalent.
IV – Transistor à effet de champ
Transistor à effet de champ à jonction, transistor MOSFET.
Enseignant : Fatih Zighem et Mohamed Belmeguenai
CM | 19.5 H |
TD | 19.5 H |
ECTS | 4 |
Lieu | Villetaneuse |
Langue | French |